Лаборатория исследований физико-химических свойств

7 дней
Срок проведения экспресс-анализа

Исследования геометрических, структурных, оптических и электрических свойств структур и материалов

Лаборатория обеспечивает контроль полного набора параметров СБИС (геометрических, структурных, оптических, электрических) на протяжении всего цикла их создания, начиная с разработки технологии создания исходных структур, заканчивая исследованиями готовых СБИС. Разработаны методики оперативного контроля надежности в производстве БИС и СБИС на основе структур КНИ, реализуемые на оборудовании лаборатории. Лаборатория готова предоставлять услуги по проведению аналитических исследований на имеющемся оборудовании

КОНТРОЛЬ ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
Контактная профилометрия
Оптическая и растровая электронная микроскопия
Фотометрия и эллипсометрия
КОНТРОЛЬ УДЕЛЬНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ ЧЕТЫРЕХЗОНДОВЫМ МЕТОДОМ
КОНТРОЛЬ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ЭЛЕМЕНТОВ И ТЕСТОВЫХ СТРУКТУР
КОНТРОЛЬ ПРИМЕСНОГО СОСТАВА
Масс-спектрометрия вторичных ионов
Рентгенофлюоресцентная спектроскопия
Энергодисперсионная спектроскопия

Перечень предлагаемых услуг

Визуализация и контроль
геометрических параметров

  • Визуализация элементов топологии СБИС и поперечного сечения;
  • Контроль линейных размеров;
  • Выявление дефектов технологических и конструкционных слоёв;
  • Прецизионная подготовка образцов для микроскопии и химического анализа

Контроль электрофизических
параметров

  • Измерения поверхностного сопротивления проводящих материалов четырехзондовым методом;
  • Контроль электрофизических параметров тестовых структур (транзисторы, емкости, диоды, металлы, цепочки контактов, индуктивности и т.д.)

Анализ растворов методом масс-
спектрометрии с индуктивно
связанной плазмой (ICP-MS)

  • Количественный анализ растворов в различных матрицах;
  • Диагностика элементов примесей в особочистых материалах;
  • Диапазон анализируемых масс от 2 до 260 а.е.м;
  • Погрешность измерения концентрации 0,02%

Анализ элементного состава

  • Рентгенофлюоресцентная спектроскопия

    - диапазон обнаруживаемых элементов от В (бор) до U (уран)
    - предел обнаружения достигает 0,2% ат);
  • Энергодисперсионная спектроскопия

    - диапазоны регистрируемых элементов: от 11Na до 35Br, от 39Y до 73Ta и 77Ir до 92U;
    - диапазоны элементов, концентрация которых может быть определена: от 11Na до 30Zn (исключение Si), от 45Rh до 60Nd;
    - предел допустимой относительной погрешности измерений поверхностной концентрации химических элементов 12%)