Производство пластин «кремний на изоляторе»

150, 200 мм
Диаметр пластин

10 пластин
Минимальная партия

Оперативное исполнение заказов

Производство пластин «кремний на изоляторе» (КНИ)

Производство пластин КНИ осуществляется с помощью современного автоматизированного технологического оборудования, обеспечивающего высокое качество конечной продукции. Контроль параметров структур КНИ выполняется на всех этапах производственного цикла и финальной приемки

Пластины КНИ с субмикронными толщинами слоев
Диаметр пластин: 150 мм, 200 мм
Технология: сращивание пластин и расщепление посредством ионного скола
Минимальная партия: 10 пластин
Подробнее

Скачать спецификацию

Пластины КНИ с микронными толщинами слоев
Диаметр пластин: 150 мм, 200 мм
Технология: сращивание пластин, шлифование и полирование донорной пластины
Минимальная партия: 10 пластин
Подробнее

Скачать спецификацию

Перечень предлагаемых услуг

​Утонение пластин кремния
методом шлифовки

  • Утонение пластин с топологией на пленке;
  • Диаметр пластин: 100 мм, 150 мм, 200 мм;
  • Минимальная толщина пластины после утонения: 130 мкм, 150 мкм, 200 мкм;
  • Отклонение толщины по пластине (TTV): < 3,0 мкм;
  • Отклонение толщины (от пластины к пластине): < 3,0 мкм

​Шлифовка для улучшения
геометрических параметров
пластин кремния​

  • Диаметр пластин: 100 мм, 150 мм;
  • Отклонение толщины по пластине (TTV): <1,0 мкм (100 мм); <1,5 мкм (150 мм);
  • Отклонение толщины (от пластины к пластине): < 3,0 мкм

​Обработка фаски пластин
кремния​

  • Выполняется для предотвращения появления сколов на пластинах в процессе утонения методом шлифовки;
  • Диаметр пластин: 100 мм, 150 мм;
  • Ширина фаски до 5 мм;
  • Глубина фаски определяется толщиной пластины после утонения

Измерение параметров пластин
кремния, сапфира, КНИ и КНС

  • Измерение геометрических параметров пластин (прогиб, коробление, толщина, неплоскостность) методом лазерной интерферометрии с точностью до 0,1 мкм;
  • Измерение микрошероховатости методом атомно-силовой микроскопии с разрешением до 0,05 нм;
  • Измерение толщин многослойных тонкопленочных структур и оптических характеристик (коэффициентов отражения, преломления и поглощения) полупроводниковых пластин методом спектральной эллипсометрии в диапазоне 1Å – 100 мкм;
  • Измерение электрофизических параметров полупроводниковых пластин