Разработка и исследования технологических направлений для создания энергонезависимой памяти
Разработка и исследования технологических направлений для создания энергоэффективных запоминающих устройств, базирующихся на альтернативных физических принципах хранения информации, осуществляются по современным технологиям в сотрудничестве с ведущими мировыми изготовителями интегральных микросхем. Разработки ведутся по всему циклу проектирования: от системного уровня до разработки топологии
FRAM
Запоминающие устройства на основе тонких пленок сегнетоэлектриков
MRAM
Запоминающие устройства на основе магниторезистивных эффектов
ReRAM
Запоминающие устройства на основе резистивного переключения
| Традиционная энергонезависимая память | Энергонезависимая память нового поколения | |||
| Тип | Flash | FRAM | MRAM | ReRAM |
| Время записи/чтения | 1 мс / 50 нс | < 10 нс / 10 нс | 10 нс / 10 нс | 5 нс / 5 нс |
| Ресурс перезаписи (циклы) | 10 3 – 10 5 | >10 9 | >10 16 | >10 10 |
| Энергопотребление / бит | ≤ 0,1 нДж | 50 фДж | 0,1 пДж | 0,1 пДж |
Энергонезависимая память нового поколения
Исследование
- Исследования электрофизических, морфологических, структурных и др. параметров тестовых структур, содержащих элементы хранения, изготовленных в лабораторных условиях в рамках сотрудничества с ведущими отечественными научно-исследовательскими коллективами
Моделирование
- Приборно-технологическое моделирование;
- Схемотехническое моделирование;
- Верификация моделей элементов хранения
Проектирование
- Разработка проектных решений для изготовления энегоэффективных микросхем памяти в режиме фаундри