Производство и поставка структур «кремний на изоляторе» (КНИ) диаметром 150 мм и 200 мм

Изготовление пластин КНИ осуществляется с помощью современного автоматизированного технологического оборудования, обеспечивающего высокое качество конечной продукции. Контроль параметров структур КНИ выполняется на всех этапах производственного цикла и финальной приемки

Структуры КНИ с субмикронными толщинами слоев для изготовления СБИС и изделий кремниевой фотоники

Диаметр пластин: 150 мм, 200 мм
Толщина приборного слоя: 90 - 1000 нм
Толщина скрытого диэлектрика: 100 - 2000 нм
Шероховатость поверхности на участке 2x2 мкм: < 0,5 нм
Технология: сращивание пластин и расщепление посредством ионного скола
Минимальная партия: 10 пластин

Подробнее

Скачать спецификацию

Структуры КНИ с микронными толщинами слоев для изготовления изделий МЭМС и силовой электроники

Диаметр пластин: 150 мм, 200 мм
Толщина приборного слоя: 4 - 100 нм
Толщина скрытого диэлектрика: до 2 мкм
Шероховатость поверхности на участке 2x2 мкм: < 0,5 нм
Технология: сращивание пластин, шлифование и полирование донорной пластины
Минимальная партия: 10 пластин

Подробнее

Скачать спецификацию

Перечень предлагаемых услуг

Утонение пластин кремния
методом шлифовки

• Утонение пластин с топологией на пленке;
• Диаметр пластин: 100 мм, 150 мм, 200 мм;
• Минимальная толщина пластины после утонения: 130 мкм, 150 мкм, 200 мкм;
• Отклонение толщины по пластине (TTV):
  < 3,0 мкм;
• Отклонение толщины (от пластины к пластине): < 3,0 мкм

Шлифовка для улучшения
геометрических параметров
пластин кремния

• Диаметр пластин: 100 мм, 150 мм;
• Отклонение толщины по пластине (TTV):
  <1,0 мкм (100 мм); <1,5 мкм (150 мм);
• Отклонение толщины (от пластины к пластине): < 3,0 мкм

Обработка фаски пластин
кремния

• Выполняется для предотвращения появления сколов на пластинах в процессе утонения методом шлифовки;
• Диаметр пластин: 150 мм, 200 мм;
• Ширина фаски до 5 мм;
• Глубина фаски определяется толщиной пластины после утонения

Измерение параметров пластин
кремния, сапфира, КНИ и КНС

• Измерение геометрических параметров пластин (прогиб, коробление, толщина, неплоскостность) методом лазерной интерферометрии с точностью до 0,1 мкм;
• Измерение микрошероховатости методом атомно-силовой микроскопии с разрешением до 0,05 нм;
• Измерение толщин многослойных тонкопленочных структур и оптических характеристик (коэффициентов отражения, преломления и поглощения) полупроводниковых пластин методом спектральной эллипсометрии в диапазоне 1Å – 100 мкм

Окисление пластин кремния

• Диаметр окисляемых пластин кремния: 150 мм, 200 мм;
• Толщина оксида кремния: 50 – 2000 нм;
• Однородность толщины: ± 2,5%;
• Тип окисления: влажное термическое окисление (Wet Oxidation) – до 2000 нм и Сухое термическое окисление (Dry Oxidation) до 200 нм

Маркировка пластин кремния

• Диаметр маркируемых пластин: 100 мм, 150 мм, 200 мм;
• Тип нанесения маркировки: согласно стандарту Semi M13, Semi M12 или по требованиям заказчика;
• Шрифты нанесения маркировки:
  Dot Matrix SEMI OCR 5x9 / 10x18 / 15x27
  Barcode SEMI BC 412, IBM 412
  2D Code SEMI T7