Лаборатория исследований физико-химических свойств

5 дней
Срок проведения экспресс-анализа

Мировой уровень
оборудования и технологий

Ориентация
на качество предоставляемых услуг

Исследования геометрических, структурных, оптических и электрических свойств структур и материалов

Лаборатория обеспечивает контроль полного набора параметров СБИС (геометрических, структурных, оптических, электрических) на протяжении всего цикла их создания, начиная с разработки технологии создания исходных структур, заканчивая исследованиями готовых СБИС. Разработаны методики оперативного контроля надежности в производстве БИС и СБИС на основе структур КНИ, реализуемые на оборудовании лаборатории. Лаборатория готова предоставлять услуги по проведению аналитических исследований на имеющемся оборудовании

КОНТРОЛЬ ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
Контактная профилометрия
Оптическая и растровая электронная микроскопия
Фотометрия и эллипсометрия
КОНТРОЛЬ УДЕЛЬНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ ЧЕТЫРЕХЗОНДОВЫМ МЕТОДОМ
КОНТРОЛЬ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ЭЛЕМЕНТОВ И ТЕСТОВЫХ СТРУКТУР
КОНТРОЛЬ ПРИМЕСНОГО СОСТАВА
Масс-спектрометрия вторичных ионов
Рентгенофлюоресцентная спектроскопия
Энергодисперсионная спектроскопия

Перечень предлагаемых услуг

Автоматизированные измерения поверхностного сопротивления

  • Диапазон измерений 5мОм/см ÷ 5Мом/см;
  • Точность измерений < 0,5 %;
  • Рабочий диаметр пластин до 200 мм;
  • Краевое исключение до 3 мм;
  • Возможность работы с образцами прямоугольно-квадратной формы при ручной загрузке образцов

Контроль линейных размеров элементов топологии и поперечного сечения

  • Разрешающая способность:
    – во вторичных электронах не более 1 нм
    – в отраженных электронах не более 3 нм
    – в прошедших электронах не более 1 нм
  • Диапазон регулировки увеличения, 20 - 1000000 крат
  • Диапазон измерения линейных размеров, 0,02 - 5000 мкм
  • Пределы допускаемой погрешности при измерении линейных размеров:
    – в диапазоне от 0,02 мкм до 0,2 мкм не более 10 нм
    – в диапазоне от 0,2 мкм 0,8 мкм не более 40 нм
    – в диапазоне от 0,8 мкм до 5000 мкм не более 4 %

Модификация рельефа поверхности

  • Разрешающая способность:
    - по поверхности (латерально), 10 нм,
    - по глубине, 10 нм
  • Диапазон линейных размеров обрабатываемых примитивов 0,05 ÷ 100 мкм
  • Точность расположения примитивов не хуже, 100 нм
  • Диапазон регулировки ускоряющего напряжения, 0,5 ÷ 30 кВ
  • Материалы, используемые для обработки Ga, Pt, C, SiO2

Контроль профиля поверхности материалов

  • Максимальная длина сканирования 200 мм;
  • Максимальная область сканирования: любой прямоугольник вписанный в круг диаметром 200 мм;
  • Латеральное разрешение X=25 нм, Y=1 мкм;
  • Вертикальный диапазон:
    ±3,25 мкм, разрешение < 1 Ǻ;
    ±13 мкм, разрешение < 2 Ǻ;
    131 мкм, разрешение < 8 Ǻ
  • Погрешность по вертикали ± 0,1% верхнего диапазона;
  • Воспроизводимость 7,5 Ǻ или 0,1% (1σ);
  • Повторяемость 15 Ǻ или 0,25% (1σ), больший из них;

Контроль электрофизических параметров

  • Диапазон по напряжению от 2мкВ до 100В;
  • Диапазон по силе тока от 1фА до 1А;
  • Частота сигнала при измерении от 20Гц до 2МГц;
  • Диапазон по сопротивлению от 1×10-18 до 999,9999×1018 Ом;
  • Погрешность по вертикали ± 0,1% верхнего диапазона;
  • Воспроизводимость 7,5 Ǻ или 0,1% (1σ);
  • Повторяемость 15 Ǻ или 0,25% (1σ), больший из них;

Контроль внешнего вида

  • Разрешение в видимом диапазоне 0,5 мкм;
  • Разрешение в УФ-свете 0,1 мкм;
  • Диапазон допускаемой абсолютной погрешности ±0,03 мкм;
  • Диапазон по увеличению, 50 ÷ 1500 крат

Измерения толщин многослойных тонкопленочных структур и их оптических характеристик

  • Диапазон длин волн 265 нм ÷ 1700 нм;
  • Диапазон измеряемых толщин 1 Å-100 мкм;
  • Предельная точность измерения толщин (1σ) 0,25Å

Постановка технологических процессов изготовления пластин с кристаллами ИС

  • КМОП на КНИ, проектные нормы 0.35 мкм, количество уровней металлизации 4, напряжение питания 3.3В;
  • КМОП на объемном кремнии, проектные нормы 1.6 мкм, количество уровней металлизации 1 и 2, напряжение питания 12В и 16В;
  • КМОП на КНС-0.3/0.6, проектные нормы 1.6 мкм, количество уровней металлизации 1 и 2, напряжение питания 5В, 7В и 36В;
  • КНС-5, проектные нормы 1.6 мкм, количество уровней металлизации 1 и 2, напряжение питания 3В
Напишите нам сообщение