Разработка и исследования технологических направлений для создания энергоэффективных запоминающих устройств, базирующихся на альтернативных физических принципах хранения информации, осуществляются по современным технологиям в сотрудничестве с ведущими мировыми изготовителями интегральных микросхем. Разработки ведутся по всему циклу проектирования: от системного уровня до разработки топологии
Традиционная энергонезависимая память | Энергонезависимая память нового поколения | |||
Тип | Flash | FRAM | MRAM | ReRAM |
Время записи/чтения | 1 мс / 50 нс | < 10 нс / 10 нс | 10 нс / 10 нс | 5 нс / 5 нс |
Ресурс перезаписи (циклы) | 10 3 – 10 5 | >10 9 | >10 16 | >10 10 |
Энергопотребление / бит | ≤ 0,1 нДж | 50 фДж | 0,1 пДж | 0,1 пДж |