ПАРАМЕТРЫ СТРУКТУР КНИ
с субмикронными слоями

Наименование параметра Ед. измерения Значение параметра

Приборный слой кремния

Краевое исключение при измерении параметров
мм
<5
Толщина приборного слоя кремния
нм
190 –500
Однородность толщины приборного слоя по пластине
нм
< 12
Тип проводимости
Р-тип / Бор
Сопротивление приборного слоя
Ом·см
10 -22,0
Ориентация приборного слоя
<100>
Области несращивания диаметром >0,5 мм
шт.
0
Шероховатость поверхности на участке 2х2 мкм
нм
< 0,5
Металлические загрязнения
ат./см2
< 5·1010
Светорассеивающие дефекты размером >0,2 мкм
шт.
< 50
HF-дефекты
шт./см2
< 0,5

Скрытый диэлектрик

Толщина скрытого окисла
нм
100 –500
Однородность толщины скрытого окисла
%
<5

Кремниевая подложка

Диаметр
мм
150±0,2
Толщина
мкм
675±25
Тип проводимости
Р-тип / Бор
Сопротивление приборного слоя
Ом·см
10 -22,0
Ориентация приборного слоя
<100>
Длина базового среза
мм
57,5±2,5
Ориентация базового среза
<110>

ПАРАМЕТРЫ СТРУКТУР КНИ
с микронными слоями

Наименование параметра Ед. измерения Значение параметра
Краевое исключение
мм
5
Диаметр структуры
мм
150 ±0,2
Толщина структуры
мкм
650 ±25
Полное отклонение толщины структуры КНИ (TTV)
мкм
< 3
Прогиб
мкм
< 30
Коробление
мкм
< 30
Толщина приборного слоя
мкм
4 –100
Однородность толщины приборного слоя
мкм
±1,5
Шероховатость поверхности на участке 2х2 мкм
нм
< 0,5
Толщина скрытого окисла
мкм
<1,5
Однородность толщины скрытого окисла
%
<5
Тип проводимости
P, N
Ориентация приборного слоя и подложки
<100>
Длина базового среза
мм
57,5±2,5