ПРОИЗВОДСТВО СТРУКТУР
«кремний на изоляторе» (КНИ)

Изготовление структур КНИ осуществляется с помощью современного автоматизированного технологического оборудования, обеспечивающего высокое качество конечной продукции. Контроль параметров структур КНИ выполняется на всех этапах производственного цикла и финальной приемки.

Пластины КНИ с тонкими слоями для субмикронных интегральных схем

  • Диаметр пластин: 150 мм, 200 мм
  • Толщина приборного слоя: 190 - 500 нм
  • Толщина скрытого диэлектрика (термический окисел): 100 – 500 нм
  • Технология: сращивание пластин и расщепление посредством ионного скола
  • Минимальная партия: 10 пластин

Пластины КНИ с микронными слоями для МЭМС и силовой электроники

  • Диаметр пластин: 150 мм
  • Толщина приборного слоя: 4 — 100 мкм
  • Толщина скрытого диэлектрика (термический окисел): до 1,5 мкм
  • Технология: сращивание пластин, шлифование и полирование донорной пластины
  • Минимальная партия: 10 пластин

Перечень предлагаемых услуг

​УТОНЕНИЕ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ
МЕТОДОМ ШЛИФОВКИ​

  • Утонение пластин с топологией на пленке;
  • Диаметр пластин: 100 мм, 150 мм, 200 мм;
  • Минимальная толщина пластины после утонения: 130 мкм, 150 мкм, 200 мкм;
  • Отклонение толщины по пластине
    (TTV): < 3,0 мкм;
  • Отклонение толщины (от пластины к пластине): < 3,0 мкм.

​ШЛИФОВКА ДЛЯ УЛУЧШЕНИЯ ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ​

  • Диаметр пластин: 100 mm, 150 mm;
  • Отклонение толщины по пластине (TTV):
    < 1,0 мкм (100 мм); < 1,5 мкм (150 мм);
  • Отклонение толщины (от пластины к пластине): < 3,0 мкм.

​ОБРАБОТКА ФАСКИ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ​

  • Выполняется для предотвращения появления сколов на пластинах в процессе утонения методом шлифовки;
  • Диаметр пластин: 100 мм, 150 мм;
  • Ширина фаски до 5 мм;
  • Глубина фаски определяется толщиной пластины после утонения.

ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ, САПФИРА, КНИ И КНС

  • Измерение геометрических параметров пластин (прогиб, коробление, толщина, неплоскостность) методом лазерной интерферометрии с точностью до 0,1 мкм;
  • Измерение микрошероховатости методом атомно-силовой микроскопии с разрешением до 0,05 нм;
  • Измерение толщин многослойных тонкопленочных структур и оптических характеристик (коэффициентов отражения, преломления и поглощения) полупроводниковых пластин методом спектральной эллипсометрии в диапазоне 1Å – 100 мкм;
  • Измерение электрофизических параметров полупроводниковых пластин.

АНАЛИЗ РАСТВОРОВ МЕТОДОМ МАСС-СПЕКТРОМЕТРИИ С ИНДУКТИВНО СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМОЙ (ICP-MS)

  • Количественный анализ растворов в различных матрицах;
  • Диагностика элементов примесей в особочистых материалах;
  • Диапазон анализируемых масс от 2
    до 260 а.е.м;
  • Погрешность измерения концентрации 0,02%.

Вам также может быть интересно: